产品详细信息
锗锑碲GeSbTe
产品介绍
GeSbTe是一种相变储存材料，基于锗锑碲化物的相变存储器(PCM)显示出显著的商业化潜力,是NOR型闪存和部分DRAM市场的一项替代性存储器技术，是一种极具潜力的未来新型半导体存储芯片技术。
产品性能
| 成分 | Ge,Sb,Te（不同原子比） |
| 纯度 | 99.99% |
| 密度 | 6.38g/cm3 |
| 尺寸 | 50.8mm - 440mm |
| 公差 | 直径：±0.1mm,厚度：±0.1mm |
| 粗糙度 | 32RMS |
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